ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪੋਲੀਸ਼ਡ

ਵਰਕਪੀਸ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪੋਲਿਸ਼ਡ ਸਤਹ 'ਤੇ ਖੱਡੇ ਕਿਉਂ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੇ ਹਨ?
ਮੁੱਖ ਕਾਰਨ ਅਸਮਾਨ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਵੰਡ ਹੈ, ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਕਾਰਕ ਹਨ ਜੋ ਅਸਮਾਨ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਵੰਡ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ ਤੇ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਅਨੁਸਾਰ:    

1. ਸਥਿਰ structureਾਂਚਾ ਅਸਮਾਨ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਦੀ ਵੰਡ ਵੱਲ ਖੜਦਾ ਹੈ. ਫਿਕਸਚਰ ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸੰਪਰਕ ਨੂੰ ਵਧੇਰੇ ਸੰਤੁਲਿਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਅਤੇ ਫਿਕਸਿੰਗ structureਾਂਚੇ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰੋ. ਫਿਕਸਚਰ ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸੰਪਰਕ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਦੀ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਕਰੋ ਜਦੋਂ ਕਿ ਇਹ ਸੁਨਿਸ਼ਚਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇ ਕਿ ਫਿਕਸ ਯੋਗਤਾਪੂਰਵਕ ਹੈ.   

2. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਪੋਲਿਸ਼ਿੰਗ ਸਲਿ ofਸ਼ਨ ਦੀ ਖਾਸ ਗੰਭੀਰਤਾ ਵੱਧਦੇ ਮੁੱਲ ਤੋਂ ਘੱਟ ਜਾਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ. ਜੇ ਇਹ ਲੋੜੀਂਦੀ ਖਾਸ ਗਰੈਵਿਟੀ ਰੇਂਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤਹ ਬੁਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਝੁਕਦੀ ਹੈ. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਦੀ ਸਭ ਤੋਂ ਚੰਗੀ ਖਾਸ ਗੁਰੂਤਾ 1.72 ਹੈ.   

3. ਤਾਪਮਾਨ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਚਾਲਕਤਾ ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਚਮਕ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਅਸੰਤੁਲਿਤ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਦੀ ਵੰਡ ਅਤੇ ਗਮਗੀਨ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਨਾ ਅਸਾਨ ਹੈ.    

4. ਦੁਬਾਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਪੁਰਜ਼ੇ ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੂਜੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਪਾਲਿਸ਼ ਕਰਨ ਵੇਲੇ ਪਿਟਣ ਦਾ ਖ਼ਤਰਾ ਹਨ. ਦੂਜੀ ਵਾਰ ਟਕਰਾਉਣ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ, ਦੂਜੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪੋਲੀਸ਼ਿੰਗ ਨੂੰ ਉਸ ਸਮੇਂ ਅਤੇ ਵਰਤਮਾਨ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ.    

5. ਗੈਸ ਬਚਣਾ ਨਿਰਵਿਘਨ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਗੈਸ ਬਚਣਾ ਨਿਰਵਿਘਨ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕਿਉਂਕਿ ਵਰਕਪੀਸ' ਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਦਾ ਕੋਣ ਗੈਰ ਵਾਜਬ ਹੈ. ਜਿੱਥੋਂ ਤੱਕ ਹੋ ਸਕੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੇ ifਫਿਸ ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ ਉੱਪਰ ਵੱਲ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ. ਫਿxtureਚਰ ਨੂੰ angleੁਕਵੇਂ ਕੋਣ 'ਤੇ ਅਡਜੱਸਟ ਕਰੋ, ਤਾਂ ਜੋ ਵਰਕਪੀਸ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਪੈਦਾ ਹੋਈ ਗੈਸ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਬਾਹਰ ਕੱmittedੀ ਜਾ ਸਕੇ. 

6. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪੋਲੀਸ਼ਿੰਗ ਸਮਾਂ ਬਹੁਤ ਲੰਮਾ ਹੈ. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪੋਲੀਸ਼ਿੰਗ ਇੱਕ ਸੂਖਮ ਪੱਧਰ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੈ. ਜਦੋਂ ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤਹ ਮਾਈਕਰੋਸਕੋਪਿਕ ਚਮਕ ਅਤੇ ਸਮਾਨ 'ਤੇ ਪਹੁੰਚ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਹਿੱਸੇ ਦੀ ਸਤਹ ਆਕਸੀਕਰਨ ਨੂੰ ਰੋਕ ਦੇਵੇਗੀ, ਅਤੇ ਜੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਇਸਿਸ ਜਾਰੀ ਰਹੇਗੀ, ਤਾਂ ਇਹ ਵਧੇਰੇ ਖੋਰ ਅਤੇ ਪਿਟਾਈ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣੇਗੀ.   

7. ਓਵਰਕਰੰਟ ਜਦੋਂ ਭਾਗਾਂ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਇਟਿਕ ਤੌਰ ਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੇ ਭਾਗਾਂ ਵਿਚੋਂ ਲੰਘਣ ਵਾਲੀ ਮੌਜੂਦਾ ਸਥਿਤੀ ਬਹੁਤ ਵੱਡੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਹਿੱਸੇ ਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਭੰਗ ਅਵਸਥਾ ਭਾਗ ਦੀ ਸਤਹ ਦੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਰਾਜ ਨਾਲੋਂ ਵਧੇਰੇ ਹੈ, ਤਦ ਭਾਗ ਦੀ ਸਤਹ ਹੋਵੇਗੀ. ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਖਰਾਬ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਖੋਰ ਦੇ ਅੰਕ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਣਗੇ